--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**AO4606A-VB**
**丝印:** VBA5325
**品牌:** VBsemi
**参数:** SOP8;N+P—Channel沟道, ±30V;9A / -6A;RDS(ON)=15mΩ / 42mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=±1.65V
**封装:** SOP8
**详细参数说明:**
- **沟道类型:** N+P—Channel
- **最大承受电压:** ±30V
- **最大电流:** 9A(正向) / -6A(反向)
- **导通电阻:** 15mΩ(在VGS=10V时,正向) / 42mΩ(在VGS=20V时,反向)
- **阈值电压:** ±1.65V
**应用简介:**
该器件为 N+P—Channel 沟道的 MOSFET,适用于需要同时控制正向和反向电流的模块。可用于功率开关、电流控制和反向保护等应用。
**作用:**
- 控制正向和反向电流。
- 在功率开关和反向保护电路中发挥关键作用。
**使用领域模块:**
1. **功率开关模块:** 用于构建高效能的功率开关,实现电流的正向和反向控制。
2. **电流控制模块:** 在需要准确控制电流方向的电路中使用,确保电流稳定。
3. **反向保护模块:** 用于防止反向电流对电路和设备的损坏。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **极性注意:** 注意 N+P—Channel 沟道器件的正反电流特性。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以免损坏器件。
如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。
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