--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品型号:** IRLML6244TRPBF-VB
**丝印:** VB1330
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
**封装:** SOT23
**详细参数说明:**
IRLML6244TRPBF-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道场效应管。其额定电压为30V,额定电流为6.5A,具有较低的静态导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V时为30mΩ。阈值电压(Vth)在范围1.2V至2.2V之间可调。该器件适用于低功率、中电压的场合,提供高效的功率开关性能。
**应用简介:**
IRLML6244TRPBF-VB适用于各种领域的功率模块,包括但不限于:
1. **电源模块:** 用于中电压、低功率的稳压电源、开关电源等应用,实现能量转换。
2. **电池管理:** 作为电池管理模块的一部分,实现对电池的高效充放电控制。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器等中电压、低功率逆变应用。
**作用:**
在上述模块中,IRLML6244TRPBF-VB的主要作用是实现低功率、中电压的开关控制,以确保模块的稳定性和高效性能。
**使用注意事项:**
1. **静电防护:** 在操作过程中,需采取防静电措施,避免对器件产生损害。
2. **散热:** 注意器件的散热,确保在额定工作温度范围内。
3. **电源匹配:** 在设计中,确保器件的电源与其额定参数匹配,以确保性能和可靠性。
4. **工作条件:** 了解并遵守器件的工作条件和电气特性,确保在规定的工作条件下使用。
这些建议旨在确保器件的可靠性和性能,具体使用时需参考器件的数据手册和厂商提供的技术规格。
为你推荐
-
AUFS3306-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 11:01
产品型号:AUFS3306-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3207Z-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:52
产品型号:AUFS3207Z-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3107-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:49
产品型号:AUFS3107-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3006-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:43
产品型号:AUFS3006-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3004-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:38
产品型号:AUFS3004-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFR9024N-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:37
产品型号:AUFR9024N-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AUFR8405-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:35
产品型号:AUFR8405-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8403-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:31
产品型号:AUFR8403-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8401-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:29
产品型号:AUFR8401-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR6215-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:28
产品型号:AUFR6215-VB 封装:TO252 沟道:Single-P