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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SSM3K15F-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号: SSM3K15F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 SOT23封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** SSM3K15F-VB

**丝印:** VB162K

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 额定电压:60V
- 额定电流:0.3A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.6V

**封装:** SOT23

**详细参数说明:**
SSM3K15F-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道场效应管。其额定电压为60V,额定电流为0.3A,具有较高的静态导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V时为2800mΩ。阈值电压(Vth)为1.6V。该器件适用于低功率、中电压的场合,提供基本的功率开关性能。

**应用简介:**
SSM3K15F-VB适用于一些低功率的应用场合,包括但不限于:
1. **电源开关:** 用于低功率电源开关,如小型电子设备的电源管理。
2. **信号开关:** 作为信号开关,用于电路中的信号传输和开关控制。
3. **电源保护:** 在一些低功率电源保护电路中,提供过流和过压保护。

**作用:**
在上述模块中,SSM3K15F-VB的主要作用是提供基本的功率开关控制,适用于低功率、中电压的场合。

**使用注意事项:**
1. **静电防护:** 在操作过程中,需采取防静电措施,避免对器件产生损害。
2. **电源匹配:** 在设计中,确保器件的电源与其额定参数匹配,以确保性能和可靠性。
3. **工作条件:** 了解并遵守器件的工作条件和电气特性,确保在规定的工作条件下使用。

这些建议旨在确保器件的可靠性和性能,具体使用时需参考器件的数据手册和厂商提供的技术规格。

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