**2SK2462-VB**
**丝印：** VBM1101M
**品牌：** VBsemi
**参数：** TO220；N—Channel沟道, 100V；18A；RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=2~4V
**封装：** TO220
**详细参数说明：**
- **沟道类型：** N—Channel
- **最大承受电压：** 100V
- **最大电流：** 18A
- **导通电阻：** 127mΩ（在VGS=10V时），127mΩ（在VGS=20V时）
- **阈值电压：** 2~4V
**应用简介：**
该器件为 N—Channel MOSFET，适用于需要控制正向电流的模块，如电源开关和电流调节。
**作用：**
- 控制正向电流，适用于需要 N—Channel 沟道的应用。
- 在电源开关和电流调节电路中发挥关键作用。
**使用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 用于构建可靠的正向电流开关电路，确保电源系统正常运行。
2. **电流调节模块：** 适用于需要 N—Channel 沟道的高电流应用。
**使用注意事项：**
1. **电压和电流限制：** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制：** 注意器件工作时的温度，避免过热。
3. **阈值电压选择：** 根据应用需求选择适当的阈值电压。
如有需要进一步了解或有其他问题，请告诉我。
