--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**IPD50N06S2-14-VB 详细参数说明和应用简介:**
- **参数:**
- 丝印:VBE1615
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO252
- 类型:N—Channel沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:60A
- RDS(ON):9mΩ @ VGS=10V, 20V
- 阈值电压:1.87V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/DA/wKgZomUKSuWABuvWAAESwF2ZqjE441.png)
- **应用简介:**
- IPD50N06S2-14-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于高功率开关和电源控制。
- **应用领域:**
- 高功率开关模块
- 电源控制模块
- **作用:**
- 在高功率开关模块中,用于控制电路的导通和切断,适用于高功率设备。
- 在电源控制模块中,用于实现电源的高效开关和调节,适用于大功率电子设备。
- **使用注意事项:**
- 丝印VBE1615对应IPD50N06S2-14-VB,确保正确识别。
- 在规定的电压和电流范围内使用,以防损坏设备。
- 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。
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