--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**AOD4286-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** AOD4286-VB
- **丝印:** VBE1101M
- **封装:** TO252
- **类型:** N-Channel 沟道 MOSFET
- **电压等级:** 100V
- **电流等级:** 18A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 115mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源电压阈值(Vth):** 1.6V
**应用简介:**
AOD4286-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道MOSFET。具有较高的电压(100V)和高电流容量(18A),适用于高功率电子模块。
**应用领域:**
1. **电源模块:** 用于开关电源和稳压器,提供高效率的电源转换。
2. **电机控制:** 作为电机驱动器的一部分,实现对电机的高功率控制。
3. **电源逆变器:** 在逆变器电路中,将直流电源转换为交流电源。
**作用:**
- 提供高效率的电源转换。
- 实现对高功率电机的有效控制。
- 在逆变器电路中实现直流到交流的高功率转换。
**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的电压和电流限制,以免损坏器件。
2. **散热:** 在高功率应用中,需要适当的散热措施,确保器件在正常工作温度范围内。
3. **防静电措施:** 在处理和安装过程中采取防静电措施,以防止静电放电对器件造成损害。
以上为简要说明,具体的设计和应用需根据具体模块和电路要求进行。
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