--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:4578GM-VB
丝印:VBA5638
品牌:VBsemi
**参数:**
- MOSFET类型:N + P-Channel沟道
- 最大电压:±60V
- 最大电流:6.5A(正向) / 5A(反向)
- 导通电阻:28mΩ @ VGS = 10V, 51mΩ @ VGS = 20V
- 阈值电压:±1.9V
- 封装:SOP8
**应用简介:**
4578GM-VB是一款N + P-Channel沟道的MOSFET,具有高性能和可靠性,适用于多种电源管理和功率控制应用。
**举例说明:**
1. **电源逆变器模块:** 4578GM-VB可用作电源逆变器的开关元件,用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、UPS等应用。
2. **电动汽车充电模块:** 4578GM-VB可用于电动汽车充电桩中的功率开关,确保充电过程的高效率和稳定性。
3. **工业自动化控制模块:** 在工业控制系统中,4578GM-VB可用于电机驱动、照明控制等模块,提供可靠的功率开关功能。
4. **LED照明驱动模块:** 4578GM-VB适用于LED照明系统中的电源管理和驱动,确保LED灯的稳定和高效工作。
4578GM-VB的特性使其适用于各种领域的功率电子应用,包括工业控制、能源管理、电动汽车、LED照明等领域。
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