--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AP4521GEM-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- 通道类型: N+P-Channel
- 最大耐压: ±60V
- 静态电流: 6.5A (正向) / -5A (反向)
- 开启电阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 51mΩ @ VGS = 20V
- 阈值电压: ±1.9V
- 封装: SOP8
应用简介:
AP4521GEM-VB是一款N+P-Channel沟道MOSFET,具有高耐压、低开启电阻和低静态电流等特点,适用于多种电力控制和调节应用。
示例应用:
1. DC-DC 变换器: 由于其低开启电阻和高耐压特性,AP4521GEM-VB可用作DC-DC变换器的开关管,实现高效能量转换。
2. 电源管理模块: 在电源管理模块中,该器件可用于稳压和过载保护电路,确保电路稳定可靠。
3. 电机驱动: 由于其能够承受较高电流和耐压,可用于电机驱动模块,如电动汽车控制系统中的电机驱动器。
通过在这些领域和模块中的应用,AP4521GEM-VB可实现高效、稳定和可靠的电力控制,满足不同应用场景的需求。
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