--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AP4575M-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
详细参数说明:
- 通道类型: N+P-Channel
- 最大耐压: ±60V
- 静态电流: 6.5A (正向) / -5A (反向)
- 开启电阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 51mΩ @ VGS = 20V
- 阈值电压: ±1.9V
- 封装: SOP8
应用简介:
AP4575M-VB是一款高性能的N+P-Channel沟道MOSFET,具有优异的耐压和低阈值电压特性,适用于多种功率控制和开关电源应用。
示例应用:
1. 电源逆变器: 由于其高耐压和低阈值电压特性,AP4575M-VB可用作电源逆变器中的开关管,实现高效的电能转换。
2. 电动汽车充电桩: 在电动汽车充电桩中,该器件可用于充电控制电路,确保充电过程的稳定性和安全性。
3. 工业自动化: 由于其高静态电流和低阈值电压,可用于工业自动化设备中的电力控制和调节。
通过在这些领域和模块中的应用,AP4575M-VB可实现高效、可靠和稳定的功率控制,满足不同应用场景的需求。
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