--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AP9971GM-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
参数: 2个N—Channel沟道,60V;6A;RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5V;
封装: SOP8
详细参数说明:
- 通道类型: 2个N—Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 6A
- 开态电阻: RDS(ON)=27mΩ @ VGS=10V, 27mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压: 1.5V
应用简介:
AP9971GM-VB是一款双N—Channel沟道功率MOSFET,适用于多种电路设计需求。其具有良好的耐压性和低导通电阻。主要应用领域包括但不限于:
1. DC-DC转换器:可用于电源模块、开关电源等DC-DC变换器中,提供高效的电源转换和稳定的输出。
2. 电池管理系统:适用于移动设备、无线通信等领域的电池管理模块,保护电池免受过流和过压等问题。
3. 电机控制器:可用于各种类型的电机控制模块,如直流电机驱动器、步进电机控制器等,实现高效的电机控制。
举例说明:
- 在DC-DC转换器中,AP9971GM-VB可用于输出端的功率开关和调节电路,确保稳定的电源输出。
- 在电池管理系统中,AP9971GM-VB可用于移动设备的电池保护系统,保护电池免受异常工作状态的影响。
- 在电机控制器中,AP9971GM-VB可用于各种类型的电机控制模块,如用于机器人的步进电机控制器,实现精确的运动控制。
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