--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: BSO211P-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 构成: 2个P沟道MOSFET
- 电压: -30V
- 电流: -7A
- 开通电阻: RDS(ON) = 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V
封装: SOP8
应用简介:
BSO211P-VB是一款高性能P沟道MOSFET组合器件,具有低开通电阻和负电压容忍特性。适用于各种领域和模块,例如:
1. 电源逆变器: 在太阳能逆变器、电动车充电器和电池管理系统中,BSO211P-VB可用于高效的电源逆变和电池充电控制。
2. 电动车辆: 适用于电动车辆中的驱动器、制动能量回收和电池管理系统,提高电动车的性能和能源利用效率。
3. 电动工具: 在电动工具的电池管理和电机驱动中,可提供高效的电能转换和可靠的功率输出,提高工具的使用寿命和性能。
4. 工业控制: 可用于工业自动化设备、PLC控制系统和机器人控制器中,实现精准的电机控制和高效的能源管理。
5. 医疗设备: 适用于医疗成像设备、呼吸机和输液泵等医疗设备中的功率控制和电源管理模块,确保设备的稳定运行和安全性。
通过将BSO211P-VB应用于上述领域和模块,可以实现高效能源利用、提高系统性能和稳定性,推动人类朝着超智能时代的黄金路径迈进。
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