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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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BSS84-NL-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: BSS84-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**BSS84-NL-VB 详细参数说明和应用简介**

**产品规格:**
- 丝印:VB264K
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电流:-0.5A
- 最大漏电压:-60V
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth):-1.87V

**产品应用简介:**

BSS84-NL-VB是一款P—Channel场效应晶体管,具有SOT23封装,适用于各种电路设计,尤其在需要P—Channel沟道的应用中表现出色。

**主要特点和优势:**
1. **P—Channel沟道:** 适用于需要P—Channel沟道的电路设计,提供灵活的电源极性选择。
2. **低漏电流:** 最大漏电流为-0.5A,适用于对功耗要求较低的场景。
3. **宽工作电压范围:** 最大漏电压为-60V,适用于各种电源电压要求的应用。
4. **低静态漏极-源极电阻:** 具有3000mΩ的低RDS(ON),有助于减小导通时的功耗。

**应用领域举例:**

1. **电源管理模块:** 由于BSS84-NL-VB的P—Channel特性,可用于电源开关和电源管理模块,帮助实现高效的电源控制。

2. **信号开关:** 适用于信号开关电路,通过控制沟道的导通和截断,实现信号的有效切换。

3. **电流控制模块:** 在需要对电流进行精确控制的电路中,BSS84-NL-VB可作为电流控制的关键部件。

4. **低功耗设备:** 由于低漏电流和低静态漏极-源极电阻的特性,适用于对功耗要求较高的低功耗设备,如便携式电子产品。

通过上述特点和应用领域的举例,BSS84-NL-VB可以广泛应用于电源管理、信号开关、电流控制等模块,为各种电子设备提供可靠的性能支持。

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