**产品型号：** C4050SD-VB
**丝印：** VBA5415
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- N+P—Channel沟道
- 电压范围：±40V
- 电流范围：8A（正向）/-7A（反向）
- 导通电阻：RDS(ON)=15mΩ @ VGS=10V, 19mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：Vth=±1.8V
**封装：** SOP8
**详细参数说明：**
C4050SD-VB是一款N+P—Channel沟道功率MOSFET，适用于±40V的电压范围。在正向电流为8A，反向电流为-7A的情况下，具有优异的导通电阻性能，RDS(ON)分别为15mΩ @ VGS=10V和19mΩ @ VGS=20V。其阈值电压为±1.8V，封装采用SOP8。
**应用简介：**
C4050SD-VB广泛应用于功率电子系统，特别适用于需要高电压范围和低导通电阻的场景。该器件在直流-直流（DC-DC）转换器、电源管理模块、电机驱动和开关电源等领域表现出色。
**举例说明：**
1. **电源管理模块：** C4050SD-VB可用于电源管理模块，确保高效能和可靠的电源转换，适用于各种便携设备和嵌入式系统。
2. **电机驱动：** 在电机驱动模块中，该器件能够提供卓越的功率开关性能，适用于工业自动化和电动汽车等领域。
3. **电源逆变器：** 由于其高电压范围，可用于电源逆变器，实现可靠的电能逆变，适用于太阳能逆变器等领域。
C4050SD-VB通过其高性能和多功能性，为多个领域的电源系统提供了灵活可靠的解决方案。
