--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VBsemi CES2336-VB**
- **丝印:** VB1695
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:60V
- 额定电流:4A
- 静态漏极电阻(RDS(ON)):85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1~3V
**产品说明:**
VBsemi CES2336-VB是一款N-Channel沟道类型的功率MOSFET,具有60V的额定电压和4A的额定电流。其低静态漏极电阻(RDS(ON))表明在不同的电压条件下具有较低的导通电阻。阈值电压(Vth)在1~3V之间,适合各种电压控制的应用。
**应用简介:**
适用于SOT23封装的CES2336-VB MOSFET可在多种应用中发挥作用,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其高电压和电流特性,可用于电源管理模块,如稳压器和开关电源。
2. **驱动模块:** 作为N-Channel MOSFET,适用于电机控制和其他驱动模块。
3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路,提供高效的电流控制。
4. **电池保护:** 可用于电池管理模块,确保电池充放电过程中的高效性能。
**举例:**
在电源管理中,CES2336-VB可以用于开关电源的功率开关,提供高效率的能量转换。在LED照明中,它可以用于调光电路,通过调整阈值电压实现对LED亮度的有效控制。在电机驱动中,可用于电机控制模块,确保在各种负载条件下的高效能量转换。
请注意,具体应用需根据实际电路要求进行设计和验证。
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