**产品型号:** CHT2312PT-VB
**丝印:** VB1240
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大工作电压: 20V
- 最大工作电流: 6A
- 开通电阻（RDS(ON)）:
- 24mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=8V
- 阈值电压（Vth）: 0.45~1V
**封装:** SOT23
**详细参数说明:**
CHT2312PT-VB是一款N-沟道场效应晶体管（N-Channel MOSFET），采用SOT23封装。其主要参数包括最大工作电压20V，最大工作电流6A，以及低开通电阻（RDS(ON)）在不同Gate-Source电压下的性能。阈值电压（Vth）在0.45~1V范围内。
**应用简介:**
这款MOSFET适用于各种电子设备和模块，特别是在需要控制电流的电路中。由于其N-沟道特性，通常用于放大、开关和调节电流的应用。在电源管理、驱动电路和功率放大器等领域中具有广泛的应用。
**主要应用领域和模块:**
1. **电源管理模块:** 用于电源开关和电流调节。
2. **驱动电路:** 用于开关电流和控制电流的驱动。
3. **功率放大模块:** 在需要高效能耗的放大器中使用。
这款MOSFET适用于需要高性能和可靠性的电子应用，为各种电路提供了灵活的电流控制和开关功能。
