CPH3319-TL-E-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管（FET），以下是详细参数说明和应用简介：
- 封装：SOT23
- 极性：P—Channel（正沟道）
- 额定电压（Vds）：-20V
- 额定电流（Id）：-4A
- 开态电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-0.81V
**应用简介：**
该P—Channel FET适用于多种电源管理和开关电源应用。由于是P—Channel沟道，因此在一些特定的电路中，它可以用于负载开关和电源开关等应用。
**举例说明：**
1. **电源开关模块：** 可以用于设计电源开关模块，控制电源的开关状态，实现有效的电源管理。
2. **负载开关模块：** 在负载开关电路中，这个P—Channel FET可以被用于控制负载的连接和断开，从而实现对负载的有效控制。
3. **电池保护模块：** 由于其P—Channel极性，适用于电池保护电路，以保护电池免受过电流或过压的损害。
请注意，具体的应用取决于电路设计的要求，因此在选择和使用该晶体管时，需要仔细阅读其数据手册和参考电路。
