CPH3438-TL-E-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi CPH3438-TL-E-VB 详细参数说明和应用简介：**

**产品型号：** CPH3438-TL-E-VB

**丝印：** VB1330

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- **封装类型：** SOT23
- **沟道类型：** N-Channel
- **工作电压：** 30V
- **持续漏电流：** 6.5A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- **门极阈值电压：** Vth = 1.2~2.2V

**封装：**
- SOT23

**应用简介：**
VBsemi的CPH3438-TL-E-VB是一款N-Channel沟道场效应晶体管，专为需要30V工作电压和6.5A持续漏电流的应用而设计。其低导通电阻（RDS(ON) = 30mΩ）在10V和20V的门极电压下表现卓越。门极阈值电压（Vth）在1.2~2.2V范围内，提供了在不同应用场景中的设计灵活性。

**主要特点：**
1. **低导通电阻：** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V。
2. **宽工作电压范围：** 30V的工作电压适用于多种电源电压。
3. **适用于多种应用场景：** 具有灵活的门极阈值电压，可在不同应用场景中实现最佳性能。

**应用领域：**
VBsemi CPH3438-TL-E-VB适用于多种领域和模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和适应性的门极阈值电压，可用于电源开关和调节电路。
2. **电机驱动模块：** 适用于需要高效能量转换和电机控制的应用。
3. **LED照明：** 可用于LED驱动电路，提高能效。

VBsemi CPH3438-TL-E-VB以其卓越的性能和适用性，为各种电子设备和模块提供了可靠的功率开关解决方案。