--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
器件型号: DMC4028SSD-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 沟道内阻: 28mΩ (正向) @ VGS=10V, VGS=20V; 51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: ±1.9V
封装: SOP8
应用简介:
DMC4028SSD-VB是一款N+P-Channel MOSFET,具有双沟道结构,可用于正向和反向功率控制应用。
示例应用:
1. H桥驱动器: 可用于设计H桥驱动器模块,用于电机驱动、电源逆变和电动车控制等领域。
2. 电源管理系统: 在需要双向电流控制的电源管理系统中,可用于电池管理、电源逆变和电源开关等模块。
3. 能量存储系统: 适用于需要双向能量转换的能量存储系统,如电池充放电管理和太阳能储能系统。
4. 汽车电子系统: 在汽车电子领域中,可用于车载电源管理、驱动电机和车载充电系统,提升汽车的能效和安全性。
5. 工业控制系统: 适用于工业控制系统中的双向电流控制、电机控制和工业自动化模块,提高设备的响应速度和能效。
DMC4028SSD-VB的双沟道结构和高性能使其成为双向功率控制应用领域的理想选择,为系统设计提供更大的灵活性和可靠性。
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