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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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DMG3413L-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: DMG3413L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**DMG3413L-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大承受电压:** -20V
- **最大漏极电流:** -4A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- **阈值电压:** Vth = -0.81V

**应用简介:**

DMG3413L-VB 是一款 P-Channel MOSFET,适用于需要高效能的电源开关和功率控制的应用。其低导通电阻、高漏极电流和负责电压等特性,使其在电源管理、电池管理、DC-DC 转换器等领域得到广泛应用。

**举例说明:**

1. **电源管理模块:** DMG3413L-VB 可以用于电源管理模块中的开关电源电路,实现高效能的功率转换。

2. **电池管理模块:** 在电池充电和放电管理中,DMG3413L-VB 可以作为电荷开关,有效控制电池充电和放电过程。

3. **DC-DC 转换器:** 由于其低导通电阻和高漏极电流特性,DMG3413L-VB 适用于构建高效能的 DC-DC 转换器。

4. **电动汽车电池管理:** 在电动汽车中,DMG3413L-VB 可以用于电池管理系统,确保电池的高效充放电。

这些例子说明了 DMG3413L-VB 在电源、电池管理和 DC-DC 转换等领域的适用性,其特性使其成为这些模块中的理想选择。

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