产品型号: F7306Q-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 通道数: 2个P-Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -7A
- 开启电阻: RDS(ON) = 35mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
- 阈值电压: Vth = -1.5V
封装: SOP8
详细参数说明:
F7306Q-VB是一款双P-Channel沟道功率MOSFET，具有-30V的额定电压和-7A的额定电流。其低开启电阻(RDS(ON))为35mΩ，在10V和20V的栅极-源极电压下均可实现。阈值电压(Vth)为-1.5V，封装为SOP8。
应用简介:
该产品适用于各种功率控制和开关应用，包括但不限于：
1. 电源管理模块: 在负电源管理模块中，F7306Q-VB可用于负电源的开关管或电流控制器，帮助实现高效能量转换和稳定输出。
2. 电动汽车模块: 作为电动汽车的功率开关，该MOSFET可用于电动汽车的电池管理和电动机驱动，提高车辆的能效和性能。
3. 逆变器模块: 在逆变器模块中，F7306Q-VB可用作逆变器的开关管，实现直流到交流的能量转换，广泛应用于太阳能和风能发电系统等领域。
以上是该产品的简要介绍和应用示例。
