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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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FDN342P-NL-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FDN342P-NL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**VBsemi FDN342P-NL-VB 晶体管**

**产品规格:**
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏极电压:-20V
- 最大漏极电流:-4A
- 开通电阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压:Vth = -0.81V

**应用简介:**
VBsemi FDN342P-NL-VB 是一款P沟道场效应晶体管,适用于SOT23封装。它的主要特性包括低漏极电阻、适用于低压应用以及高效的电流控制。

**适用领域和模块示例:**
1. **低功耗电子设备:**
  由于 FDN342P-NL-VB 具有低漏极电阻和适应低压应用的特性,它非常适合用于低功耗电子设备,如便携式电子产品和无线传感器节点。

2. **电源模块:**
  由于其能够有效地控制电流,并具有较低的漏极电阻,FDN342P-NL-VB 可以在电源模块中用于开关和调节电路,提高电源效率。

3. **电流控制模块:**
  作为P沟道晶体管,FDN342P-NL-VB 在电流控制模块中发挥重要作用,可以用于实现精确的电流控制,例如LED驱动电路。

4. **低压开关电源:**
  适用于需要在低电压条件下进行开关的应用,比如便携设备中的低压开关电源。

总体而言,VBsemi FDN342P-NL-VB 晶体管适用于多种低功耗、低压和电流控制的电子应用领域,为这些领域的电路设计提供了高效的解决方案。

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