**产品型号：** FDS9933A-NL-VB
**丝印：** VBA4338
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 2个P—Channel沟道
- 电压范围：-30V
- 电流范围：-7A
- 导通电阻：RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.5V
**封装：** SOP8
**详细参数说明：**
FDS9933A-NL-VB是一款具有2个P—Channel沟道的功率MOSFET，适用于-30V的电压范围。在负向电流为-7A的情况下，具有35mΩ @ VGS=10V和35mΩ @ VGS=20V的导通电阻。其阈值电压为-1.5V，封装采用SOP8。
**应用简介：**
FDS9933A-NL-VB主要应用于需要P—Channel MOSFET的场景，具有适用于负向电流和低导通电阻的特性。该器件在电源逆变器、电源开关模块、电池管理系统等应用中表现优异。
**举例说明：**
1. **电源逆变器：** FDS9933A-NL-VB可嵌入电源逆变器模块，实现高效的电能逆变，适用于太阳能逆变器和电动汽车逆变器等领域。
2. **电源开关模块：** 在电源开关模块中，该器件能够提供可靠的功率开关，适用于各种便携设备和嵌入式系统。
3. **电池管理系统：** 由于其P—Channel沟道特性，可用于电池管理系统，实现高效能的电池充放电控制。
FDS9933A-NL-VB通过其特有的P—Channel沟道设计，为各种需要此类特性的电源系统提供了高效、可靠的解决方案。
