--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:FW115-TL-E-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个P—Channel沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-7A
- 开启电阻:RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1.5V
- 封装类型:SOP8
应用简介:
FW115-TL-E-VB是一款高性能的P—Channel沟道功率MOSFET,适用于各种功率控制和开关应用。其稳定的性能和可靠的工作特性,使其在多种工业和电子领域都具有广泛的应用前景。
举例说明:
1. **电源开关模块**:FW115-TL-E-VB适用于设计各种电源开关模块,如直流稳压电源、开关电源等。其低开启电阻和高阈值电压特性,使其能够在不同的工作环境下保持稳定性能,确保电源输出的稳定性和可靠性。
2. **电动车电池管理**:在电动车电池管理系统中,FW115-TL-E-VB可用于设计电池充放电控制模块。其优秀的参数特性和稳定性能,使其能够实现对电池的高效充放电控制,保护电池安全并延长电池寿命。
3. **工业自动化控制**:由于其稳定的性能和可靠的工作特性,FW115-TL-E-VB适用于各种工业自动化控制系统中的功率控制模块。例如,可用于工业机器人、自动化生产线等设备的功率控制和开关操作,提高生产效率和产品质量。
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