--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**G6401-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 开态电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth = -1V
- **封装:** SOT23
**应用简介:**
G6401-VB 是一款 P—Channel MOSFET,采用 SOT23 封装。具有低开态电阻、适用于-30V 额定电压和-5.6A 额定电流的特性。
**可能的应用领域:**
1. **电源模块:** 适用于功率开关电源模块,由于其低电阻和高电压/电流额定值。
2. **电源管理:** 在电池管理系统和电源逆变器中,可实现高效的电源管理。
3. **汽车电子:** 适用于汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)等。
4. **LED 驱动:** 在 LED 照明系统中,可用于调光和开关控制。
请确保在使用前详细阅读产品手册以确保正确的应用和性能。
为你推荐
-
AUF1018ES-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:04
产品型号:AUF1018ES-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010Z-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:03
产品型号:AUF1010Z-VB 封装:Single-N 沟道:TO220 -
AUF1010ZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:01
产品型号:AUF1010ZS-VB 封装:Single-N 沟道:TO263 -
AUF1010ZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:00
产品型号:AUF1010ZL-VB 封装:TO262 沟道:Single-N -
AUF1010EZ-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:59
产品型号:AUF1010EZ-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AUF1010EZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:56
产品型号:AUF1010EZS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010EZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:54
产品型号:AUF1010EZL-VB 封装:Single-N 沟道:TO262 -
ASM2201CTR-LF-VB一种SC70-3封装Single-P-Channel场效应管2025-01-02 14:53
产品型号:ASM2201CTR-LF-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
ARF448B-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:52
产品型号:ARF448B-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
APT8M80K-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:50
产品型号:APT8M80K-VB 封装:TO220 沟道:Single-N