**产品型号：** HAT1047RJ-VB
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大承受电压：** -30V
- **最大电流：** -11A
- **导通电阻：** RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=-1.42V
**封装：** SOP8
**详细参数说明：**
HAT1047RJ-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，最大承受电压为-30V，最大电流为-11A。其导通电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为10mΩ。阈值电压为-1.42V。该器件采用SOP8封装。
**应用简介：**
HAT1047RJ-VB适用于多种电源和功率管理应用，特别是在负载开关和功率逆变模块中发挥优越性能。
**应用举例：**
1. **电源开关模块：** 在电源开关模块中，HAT1047RJ-VB可用于实现高效的电源开关，确保电能的高效转换。
2. **功率逆变模块：** 该器件在功率逆变模块中能够提供可靠的功率控制，适用于不同类型的逆变器设计。
通过采用HAT1047RJ-VB，您可以在各种电源和功率管理应用中获得卓越的性能和可靠性。
