产品型号: HAT1126RJ-VB
丝印: VBA4658
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: 2个P沟道
- 工作电压: -60V
- 最大电流: -5.3A
- 导通电阻: RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth=-1~-3V
- 封装: SOP8
应用简介:
HAT1126RJ-VB是一款双P沟道结构的功率MOSFET，适用于负电压和负电流应用场景，具有广泛的应用潜力。
举例说明：
1. 电源反极性保护：HAT1126RJ-VB的高耐压和低导通电阻特性，使其适用于设计电源反极性保护模块，可保护电路免受电源极性接反的损害。
2. 电池充放电保护：可用于设计电池充放电保护模块，有效防止电池过充电、过放电，保护电池及相关电路的安全性。
3. 电源开关控制：适用于电源开关控制模块，如电池电源切换、逆变器开关等应用场景，提供稳定可靠的电源切换功能。
通过以上例子，可以看出HAT1126RJ-VB适用于电源反极性保护、电池充放电保护、电源开关控制等领域，并且可用于设计对负电压和负电流要求较高的模块。
