**VBsemi HAT1129R-VB**
**产品规格：**
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-11A
- 开启电阻：RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.42V
**封装：** SOP8
**丝印：** VBA2311
**品牌：** VBsemi
**产品简介：**
VBsemi HAT1129R-VB是一款高性能的P—Channel沟道功率场效应晶体管（MOSFET），封装采用SOP8标准封装，丝印标识为VBA2311，属于VBsemi品牌的卓越产品。
**详细参数说明：**
该MOSFET采用P—Channel沟道类型，广泛应用于负载开关和功率逆变等电源管理领域。额定工作电压为-30V，最大电流可达-11A，具有低开启电阻，RDS(ON)为10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，以确保在高电流负载下提供高效稳定的输出。阈值电压Vth为-1.42V，保证了可靠的开关操作。
**适用领域和模块举例：**
1. **电源开关模块：** HAT1129R-VB可用于电源开关模块，尤其适合需要高效能和稳定输出的应用场景。其低开启电阻和高电流容量使其成为电源管理领域的理想选择。
2. **电动工具电源控制：** 在电动工具中，可用于电池管理和电机驱动，确保设备在高负载下的高效运行。
3. **LED驱动器：** 由于其P—Channel沟道类型和高电流容量，适用于LED驱动器中的电源开关控制，为LED照明系统提供高效的功率管理。
4. **电动汽车电池管理系统：** 在电动汽车电池管理系统中，该MOSFET的性能使其成为高功率密度、高效率的充电和放电控制解决方案的一部分。
VBsemi HAT1129R-VB以其卓越性能和可靠性，为各种电源管理和功率控制应用提供了出色的解决方案。
