--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi品牌 HAT3040R-VB
丝印:VBA5638
参数:
- N+P-沟道,±60V,6.5/-5A
- RDS(ON)=28/51mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- Vth=±1.9V
封装:SOP8
详细参数说明:
HAT3040R-VB是一款具有N+P-沟道的功率场效应晶体管。其工作电压范围为±60V,最大电流分别为6.5A和-5A。在不同的栅极-源极电压下,其导通电阻RDS(ON)分别为28mΩ和51mΩ,VGS=10V时和VGS=20V时。门阈电压为±1.9V。封装采用SOP8封装形式。
应用简介:
这款产品适用于需要混合N和P-沟道的功率控制应用。例如,它可以用于直流-直流转换器、电源逆变器、电机驱动器和电源开关等领域。其高性能和可靠性使其成为工业自动化、电力电子和电动汽车等领域中的理想选择。
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