--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**HM3415B-VB 详细参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** HM3415B-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23
**电气参数:**
- **沟道类型:** P-Channel
- **最大漏电流:** -5.6A
- **漏极-源极电压:** -30V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** -1V
**封装信息:**
- **封装类型:** SOT23
**应用简介:**
HM3415B-VB是一款P-Channel沟道功率场效应晶体管,适用于各种电子应用。其主要特点包括低漏电流、低导通电阻和高漏极-源极电压,使其在不同领域中都具备广泛的应用。
**主要应用领域:**
1. **电源模块:** 由于HM3415B-VB具有低漏电流和低导通电阻,适用于电源模块中的功率开关电路。
2. **电源管理:** 在电源管理领域,可用于设计稳定可靠的电源供应电路。
3. **通信设备:** 由于其高漏极-源极电压,可在通信设备中作为功率放大器或开关元件。
4. **工业控制:** 在工业控制系统中,可用于驱动电机、开关电源等应用。
**注意:** 在使用前,请仔细阅读相关的数据手册和规格,以确保产品在特定应用中的合适性。
为你推荐
-
AUF1018ES-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:04
产品型号:AUF1018ES-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010Z-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:03
产品型号:AUF1010Z-VB 封装:Single-N 沟道:TO220 -
AUF1010ZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:01
产品型号:AUF1010ZS-VB 封装:Single-N 沟道:TO263 -
AUF1010ZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:00
产品型号:AUF1010ZL-VB 封装:TO262 沟道:Single-N -
AUF1010EZ-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:59
产品型号:AUF1010EZ-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AUF1010EZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:56
产品型号:AUF1010EZS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010EZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:54
产品型号:AUF1010EZL-VB 封装:Single-N 沟道:TO262 -
ASM2201CTR-LF-VB一种SC70-3封装Single-P-Channel场效应管2025-01-02 14:53
产品型号:ASM2201CTR-LF-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
ARF448B-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:52
产品型号:ARF448B-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
APT8M80K-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:50
产品型号:APT8M80K-VB 封装:TO220 沟道:Single-N