--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channe
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**VB264K SOT23 P—Channel MOSFET**
**参数说明:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏极电压:-60V
- 最大漏极电流:-0.5A
- RDS(ON):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1.87V
**应用简介:**
VB264K是一款P—Channel沟道的MOSFET,适用于各种电源管理和开关电路。其特点包括较低的漏极电阻和适中的漏极电流,适合要求较低导通电阻和较小封装尺寸的应用场景。
**举例说明:**
1. **电源管理模块:** VB264K可用于电源管理模块中的反相开关电路,有效控制电源的开关状态,适用于便携设备、电池供电系统等场景。
2. **DC-DC转换器:** 在DC-DC转换器中,VB264K可以作为驱动开关,帮助实现高效的能量转换,适用于电子设备的电源适配器和电源模块。
3. **低功耗设备:** 由于其低漏极电流和较低的导通电阻,VB264K也适用于要求低功耗的设备,如传感器节点、便携式医疗设备等。
总体而言,VB264K适用于需要P—Channel MOSFET的场景,特别是在对功耗、电源效率和尺寸有严格要求的电路和模块中。
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