K3000-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**K3000-VB**

- **丝印：** VB1330
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
 - 封装：SOT23
 - 沟道类型：N—Channel
 - 额定电压：30V
 - 额定电流：6.5A
 - 开通电阻：RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V
 - 阈值电压：Vth = 1.2~2.2V

- **应用简介：**
 - **领域：** 电源管理、电源适配器、工业控制等。
 - **模块应用：** 适用于SOT23封装的电路板和模块设计，特别在需要N沟道场效应晶体管的场景。

**详细参数说明：**
K3000-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，专为电源管理、电源适配器和工业控制等领域设计。其采用SOT23封装，额定电压为30V，额定电流为6.5A，具有低开通电阻(RDS(ON) = 30mΩ)，在不同电压(VGS=10V、VGS=20V)下表现优异。阈值电压(Vth)在1.2~2.2V范围内，提供了设计的灵活性。

这款场效应晶体管适用于需要N沟道场效应晶体管的电源管理和工业控制电路。其可靠的性能和SOT23封装使其成为电子工程师在小型电路板和模块设计中的理想选择。