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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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KFE-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: KFE-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:KFE-VB

- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 参数:
 - 封装:SOT23
 - 沟道类型:P—Channel
 - 最大工作电压:-20V
 - 最大电流:-4A
 - RDS(ON):57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V
 - 阈值电压(Vth):-0.81V

详细参数说明和应用简介:

KFE-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管。具有最大工作电压为-20V,最大电流为-4A,RDS(ON)为57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V的特性。其阈值电压为-0.81V。

**适用领域和模块举例:**

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道特性和适中的电流容量,KFE-VB可广泛应用于电源管理模块中,用于电池保护、电源开关等功能。

2. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的模块,例如电机驱动模块、LED驱动模块等。

3. **信号放大器:** 可作为信号放大器的关键组件,用于放大微弱信号,例如在传感器接口电路中的应用。

总体而言,KFE-VB在需要P—Channel沟道场效应管的场景中,如电源管理、电流控制等模块中具有广泛的应用潜力。

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