--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:ME4565-VB
丝印:VBA5638
品牌:VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 额定电压:±60V
- 最大电流:6.5A (正向),-5A (反向)
- 开态电阻:RDS(ON)=28mΩ (正向),51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 门压降:Vth=±1.9V
封装:SOP8
详细参数说明:
ME4565-VB是一款N+P-Channel沟道MOSFET,具有±60V的额定电压和6.5A(正向),-5A(反向)的最大电流。其正向开态电阻(RDS(ON))为28mΩ,反向开态电阻为51mΩ,适用于VGS=10V和VGS=20V。门压降(Vth)为±1.9V,封装为SOP8。
应用简介:
ME4565-VB适用于多种领域的电路和模块,包括但不限于:
1. 电源管理模块:用于电源开关和反向保护电路,提供稳定的功率输出。
2. 电机驱动器和控制器:可用于各种类型的电机控制和运行,包括直流电机和步进电机。
3. 电源逆变器:适用于将直流电转换为交流电的逆变器电路,用于各种应用场合。
4. 汽车电子系统:如车载电源管理和驱动模块,以及发动机控制单元(ECU)等。
举例说明:
ME4565-VB可用于电动汽车中的电池管理系统和电机控制模块,提供稳定的电源和高效的电机控制功能。此外,它还可以应用于工业控制系统中的电机驱动器和逆变器模块,以实现对各种电机的精确控制和高效转换。
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