--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channe
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi MI2303-VB是SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其参数包括最大工作电压-20V,最大电流-4A,导通电阻RDS(ON)为57mΩ(在VGS=4.5V和VGS=12V时),阈值电压Vth为-0.81V。
**应用简介:**
适用于低电压、低功耗的电源管理系统,特别是在便携设备、无线通信模块和电池供电系统中具有优势。也可用于功率开关、电源逆变器等应用。
**举例:**
1. **便携设备模块:** 由于低阈值电压和低导通电阻,MI2303-VB适合用于便携设备的电源管理模块,提供高效能源转换。
2. **无线通信模块:** 在无线通信设备的电源管理中,该晶体管可用于功率开关,帮助实现高效能耗。
3. **电池供电系统:** 由于低功耗特性,MI2303-VB适用于电池供电系统,延长电池寿命,提高系统稳定性。
为你推荐
-
AUFS3306-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 11:01
产品型号:AUFS3306-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3207Z-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:52
产品型号:AUFS3207Z-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3107-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:49
产品型号:AUFS3107-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3006-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:43
产品型号:AUFS3006-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFS3004-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:38
产品型号:AUFS3004-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUFR9024N-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:37
产品型号:AUFR9024N-VB 封装:TO252 沟道:Single-P -
AUFR8405-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:35
产品型号:AUFR8405-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8403-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:31
产品型号:AUFR8403-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR8401-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:29
产品型号:AUFR8401-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AUFR6215-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-03 10:28
产品型号:AUFR6215-VB 封装:TO252 沟道:Single-P