--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:MI4807-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-7A
- 典型导通电阻:35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:-1.5V
封装:SOP8
详细参数说明:
MI4807-VB是一款P-Channel MOSFET,具有两个沟道,适用于负载开关和功率管理应用。其最大耐压达到-30V,最大漏极电流为-7A,具有低导通电阻,典型值为35mΩ。此外,阈值电压为-1.5V,适用于低压驱动应用。该器件采用SOP8封装,具有良好的散热性能和高密度集成特性。
应用简介:
MI4807-VB适用于各种需要P-Channel MOSFET的应用场景,特别适用于负载开关和功率管理领域。例如,可用于电源管理模块中的功率开关电路、直流-直流转换器、电池充放电管理等。另外,由于其性能优越,还可广泛应用于便携式设备、汽车电子、工业自动化等领域的功率控制电路中,以提高系统的效率和性能。
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