--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:MMDF4P03HDR2G-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 工作电压:-30V
- 最大电流:-7A
- 开通电阻:35mΩ (@VGS=10V, VGS=20V)
- 阈值电压:-1.5V
封装:SOP8
详细参数说明:
该产品是一款P-Channel沟道功率场效应晶体管(MOSFET),具有两个沟道。其工作电压为-30V,最大电流为-7A。在额定工作电压下,开通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.5V。封装采用SOP8。
应用简介:
该产品适用于多种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源管理模块:用于电源开关、逆变器和稳压器等电源管理设备中,以实现有效的功率控制和节能功能。
2. 电机驱动模块:可用于驱动各种类型的电机,如直流电机、步进电机等,以提供可靠的电机控制和驱动性能。
3. 载波通信模块:适用于载波通信设备,用于实现数据传输和通信连接的功率控制和调节。
4. 汽车电子模块:可用于汽车电子系统中的电源管理、驱动控制和通信模块,以提高汽车电子系统的性能和稳定性。
举例说明:
- 在电源管理模块中,该产品可用于开关电源和稳压器模块,实现电源管理和节能功能。
- 在电机驱动模块中,该产品可用于驱动直流电机和步进电机,提供可靠的电机控制和驱动性能。
- 在载波通信模块中,该产品可用于调节和控制载波通信设备的功率,实现数据传输和通信连接的稳定性。
- 在汽车电子模块中,该产品可用于汽车电子系统的电源管理、驱动控制和通信模块,提高汽车电子系统的性能和稳定性。
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