**VBsemi 2327GN-HF-VB**
- **参数说明:**
- 类型: P—Channel MOSFET
- 额定电压（V_DS）: -30V
- 额定电流（I_D): -5.6A
- 静态电阻（RDS(ON)）: 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth): -1V
- **封装:**
- 类型: SOT23
- **应用简介:**
- 高性能P—Channel MOSFET，专为要求高功率密度和低导通电阻的应用而设计。
- **领域应用:**
- 电源模块
- 电池管理系统
- 电机控制器
- 汽车电子
- **特色:**
- 优异的导通特性
- 适用于高功率密度设计
- SOT23封装适用于小型电子设备
*注意: 以上信息仅供参考，具体应用需要根据系统要求和设计考虑。*
