--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: AUF7341Q-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
参数:
- 构成: 2个N沟道MOSFET
- 电压: 60V
- 电流: 6A
- 开通电阻: RDS(ON) = 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.5V
封装: SOP8
应用简介:
AUF7341Q-VB是一款高性能N沟道MOSFET组合器件,具有低开通电阻和高电压容忍特性。适用于各种领域和模块,包括但不限于:
1. 电源管理模块: 由于其低开通电阻和高电压容忍特性,可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器模块,提高功率转换效率。
2. 电动车辆: 在电动车的电池管理系统中,可用于电池充放电控制、电动机驱动和制动能量回收等关键功能,提高电动车的性能和能效。
3. 工业自动化: 可应用于工业驱动器、机器人控制系统和工业自动化设备中,实现高效的电能转换和精准的电机控制。
4. LED照明: 在LED驱动电路中,可用于提供高效的电流调节和灯光控制,实现稳定、节能的照明效果。
5. 通信设备: 适用于各类通信设备中的功率放大器、电源管理模块和射频前端模块,提高通信设备的性能和可靠性。
通过将AUF7341Q-VB应用于上述领域和模块,可以实现高效能源利用、提高系统性能和稳定性,从而推动人类走向超智能时代的黄金路径。
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