--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: DMN6070SSD-13-VB
品牌: VBsemi
丝印: VBA3638
封装: SOP8
参数:
- 2个N—Channel沟道
- 最大耐压: 60V
- 最大漏极电流: 6A
- 开启电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: 1.5V
应用简介:
DMN6070SSD-13-VB是一款高性能的N—Channel MOSFET,适用于各种功率控制和开关应用。其低开启电阻和高耐压特性使其成为广泛应用于各种领域的理想选择。
示例应用:
1. 电源管理: 在电源管理系统中,DMN6070SSD-13-VB可用于设计高效的开关电源、直流-直流转换器等,实现稳定的能量转换和输出。
2. 电动车电池管理: 在电动车和电动工具等领域,DMN6070SSD-13-VB可用于设计电池管理系统,包括充放电保护和电池均衡功能。
3. LED照明: 在LED照明系统中,DMN6070SSD-13-VB可用作LED驱动器的关键组件,实现高效的LED控制和功率传输。
DMN6070SSD-13-VB的高性能和可靠性使其适用于多种领域,为各种电路设计提供了稳定且高效的解决方案。
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