--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**DMP2012SN-7-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大承受电压:-20V
- 最大漏电流:-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V
**应用简介:**
DMP2012SN-7-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管,适用于多种电子模块和应用场景。
**适用领域和模块举例:**
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性,DMP2012SN-7-VB适用于电源开关和调节模块,有助于提高电源效率。
2. **电流控制模块:** 在需要对电流进行精确控制的应用中,如电机驱动和LED照明控制,该器件可以提供可靠的性能。
3. **电池管理模块:** 在便携式电子设备中,DMP2012SN-7-VB可用于电池管理电路,实现对电池电压的有效控制。
总的来说,这款器件在需要P—Channel沟道和低功耗的场合下,特别适用于电源、电流控制和电池管理等模块的设计与应用。
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