--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
DMP2035U-7-F-VB
型号:DMP2035U-7-F-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数:
封装类型:SOT23
沟道类型:P—Channel
额定电压:-30V
额定电流:-5.6A
RDS(ON):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压:Vth=-1V
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/E1/wKgZomUKYpiAD4BTAAEAiumV1Ls163.png)
应用简介:
DMP2035U-7-F-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管,具有低导通电阻和适用于负载开关等应用的特性。
详细参数说明:
封装类型: SOT23
沟道类型: P—Channel
额定电压: -30V
额定电流: -5.6A
导通电阻: RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压: Vth=-1V
领域和模块应用:
DMP2035U-7-F-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的各种电子设备和模块,尤其是在低电压和低功耗要求的领域。以下是一些可能的应用场景:
负载开关: 由于其低导通电阻和P—Channel设计,适用于负载开关电路,可用于控制电路中的负载。
电源管理: 在电源管理模块中,特别是需要P—Channel MOSFET的场合,例如低电压断路器和电源开关。
请注意,具体的应用和模块选择可能根据具体设计需求和电路要求而变化。建议在使用前查阅产品手册和规格书以确保正确的应用和操作。
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