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• 射频功率放大器功能介绍

  PA应用极为广泛，在无线通信系统中，如手机、卫星通信、Wi-Fi、蜂窝网络等都需要射频功率放大器来提供足够的信号强度和覆盖范围。...

  481次阅读 · 0评论 射频功率放大器无线通信低噪声放大器雷达系统
  

• 深度解析TVS关键参数及选型技巧

  TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...

  3413次阅读 · 1评论 二极管TVS电压电压抑制器
  

• 晶振工作原理及匹配电容选取方法

  我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率，这就是为什么晶振制造 商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值，可以使晶 振晶体振荡时达到其标称频率。...

  2523次阅读 · 0评论 电容振荡器晶振等效电路反馈电阻器
  

• 电感如何选型？常见的电感参数

  电感是一种电路元件，它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能，然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加，磁场就会增强。...

  3055次阅读 · 0评论 DCDC变换器电感DCDC绝缘线电路元件
  

• ADCs和DACs的性能指标、拓扑结构

  讨论了不同的ADC和DAC架构，包括Flash型、逐次逼近寄存器（SAR）型、Pipelining型和时间交错型等。...

  434次阅读 · 0评论 dac模数转换器ADCsDACs逐次逼近寄存器
  

• MOS管为什么会冒烟烧毁？MOS烧管的案例2分享

  当VGS小于一定的电压值，DS极就会导通，适合用于S极接正电源的情况（高端驱动）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因，在大部分应用中通常还是使用NMOS。...

  4024次阅读 · 0评论 示波器MOS管NMOSPMOS电池保护板
  

• IGBT无损缓冲吸收电路设计原理

  电磁干扰严重。随着频率提高，电路中的di/dt和du/dt增大，从而使电磁干扰增大，影响变换器和周围电子设备的工作。...

  2108次阅读 · 0评论 二极管IGBT电磁干扰吸收电路开关器件
  

• ADI二极管钳位电路设计应用

  在此电路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V，同时它的漏电流也非常非常小（25℃的时候典型漏电流为1nA），这个管子也很推荐大家使用，漏电流很小。...

  995次阅读 · 0评论 二极管BUCK稳压管齐纳二极管钳位电路
  

• 缓冲放大器的几种类型介绍

  电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器，可以防止第二个电路过度加载第一个电路，这可能会干扰其预期操作。...

  1465次阅读 · 1评论 放大器运算放大器缓冲放大器电阻抗
  

• 运算放大器采样保持电路的工作原理

  采样和保持电路是一种电子电路，它创建作为输入的电压样本，然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...

  2361次阅读 · 0评论 电容器运算放大器输出波形模拟信号采样保持电路
  

• 深入探讨碳化硅功率器件优势、应用

  碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...

  487次阅读 · 0评论 变压器电感器功率器件SiC碳化硅
  

• MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析

  在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...

  924次阅读 · 0评论 电阻MOSFETMOS管电感谐振电路
  

• 碳化硅(SiC)功率器件特性及应用

  碳化硅是一种宽带隙半导体材料，相比于传统的硅材料，具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。...

  1220次阅读 · 0评论 电动汽车功率器件SiC碳化硅牵引逆变器
  

• 基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷

  在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...

  1553次阅读 · 0评论 MOSFET电源管理晶体管MOS栅极电荷
  

• 深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

  众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源产品。...

  1403次阅读 · 0评论 MOSFET场效应晶体管SiC碳化硅Qorvo
  

• 碳化硅器件在车载充电机（OBC）中的性能优势

  碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升OBC产品效率、功率密度和质量密度上发挥着重要作用。...

  586次阅读 · 0评论 电动汽车功率器件碳化硅OBC车载充电器
  

• 深入探索芯片内部电路结构

  SDA和SCL都是双向线路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平，连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...

  313次阅读 · 0评论 芯片振荡器场效应管电源电压MOS
  

• IGBT栅极驱动关键注意事项

  为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双极型晶体管的基极到其发射极的低阻抗路径。...

  371次阅读 · 0评论 MOSFET晶体管寄生电容栅极电阻栅极驱动
  

• 碳化硅功率器件的应用优势

  碳化硅具有比硅更高的热导率、更宽的能带宽度和更高的电子饱和漂移速度。这些特性使得SiC功率器件在高温、高频以及高电压应用中表现优异。...

  281次阅读 · 0评论 功率器件SiC碳化硅
  

• MOS管功能特性与实际应用场景解析

  那这两张图是完全等价的，我们可以看到MOS管是有三个端口，也就是有三个引脚，分别是GATE、DRAIN和SOURCE。至于为啥这么叫并不重要，只要记住他们分别简称G、D、S就可以。...

  1427次阅读 · 0评论 MOS管NMOSPWM场效晶体管
  
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