在半导体技术中,与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同,模拟技术的进步显得缓慢,其中电源半导体技术尤其波澜不惊,在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下,似乎关键指标难以有大的突破,永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声,少有见到一些突破性的新技术面市。
2018-05-24 17:52:016976 工艺等诸多内因造成的的内短路难以控制。微宏不燃烧电池主要从电解液、锂离子隔膜和热控流体技术三个方面,另辟蹊径,直接阻断燃烧源,最大化避免锂离子电池的燃烧。突破四:无钴高电压电池材料问世 可降低电池成本
2016-12-30 19:16:12
本文介绍的宽动态范围硅锗直接调制器HMC497LP4 及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多频段应用的宽动态范围直接调制器。
2021-04-21 06:11:59
封装密度完美融合。特别是硅微光子技术,它与硅CMOS芯片制造类似,可带来高密度、低成本以及性能可扩展等诸多优势。主要优势:诸多器件都因此可获得高性能,包括调制器、集成光电探测器、波长合路器和分路器、用于
2017-11-02 10:25:07
圆成本同样增加,对比之下,硅基材料的低成本反而成了优势;波导的传输性能好,因为硅光材料的禁带宽度更大,折射率更高,传输更快。
2020-11-04 07:49:15
回融反应。 氮化镓和硅整合在一起很困难,前面做了很多工作,比如硅衬底表面刻槽,氮化镓超晶格缓冲层,这些可以实现无裂纹,这是基本可行的路线。晶格失配17%,这个会影响材料的性能,现在生产到4微米氮化镓没有
2014-01-24 16:08:55
本征半导体 没有杂质的纯净的晶体才算得上本征半导体,比如硅、锗。 本征半导体是不导电的,为什么这么说呢? 首先我们需要了解硅原子的最外层结构,硅原子最外层有四个电子。 经过一系列
2021-02-20 14:43:21
的原因在于元器件都安装在一个金属密封盒内)的诸多优点,其市场接受度正在迅速提高。这些优点包括体积小、软件可编程、灵活、易于制造、热性能好、性能高和成本低。 硅调谐器的最早商用是在卫星电视市场。所有
2019-07-09 07:16:49
来自斯坦福大学的一支科研团队近日宣布在电池领域获得突破性进展,在提升锂电池性能同时降低体积和重量。近年来对电池性能的改善逐渐使用硅阳极,相比较目前常用的石墨更高效。但在充电过程中硅粒子同样会出现膨胀
2016-02-15 11:49:02
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路,这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到,电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56:50
锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来,是一种高于普通硅器件的高频半导体材料,应用领域非常广泛,尤其在新一代移动设备中,是良好的高功率放大器,例如:下变频
2019-05-28 06:06:21
AD7981是什么?AD7981有什么特性?AD7981有哪些应用实例?AD7981是如何在极端温度下实现突破性能和可靠性的?
2021-05-17 07:17:52
“魔咒”难以破除,包括电容、电感、光耦和变压器这样的无源器件的集成一直没有明显的突破,特别是尺寸庞大但应用广泛的变压器成了开关电源设计工程师一直以来的噩梦,大尺寸、高功耗、EMI辐射、纹波……各种掣肘
2020-10-30 09:29:04
二十一世纪最具决定性的集成电路技术就是现场可编程门阵列(FPGA),而传统门阵列和结构阵列技术将退居到特殊的大批量应用。无论是用来完成关键功能还是直接作为系统核心,今天的FPGA所提供的性能、成本
2019-08-13 07:48:48
,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。然而,近年来,这些已取得的进步开始逐渐弱化,为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说,相比LDMOS硅技术而言,GaN这一材料技术,大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值,表征高频器件的材料适合性优值, 硅技术的约翰逊优值仅为1, GaN最高,为324。而GaAs,约翰逊优值为1.44。肯定地说,GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
IW3688-01 可控硅20W低成本方案 QQ2892715427LED驱动方案设计IW3688消除了20个外部元件的成本,其中包括外部放电电路所需的10个组件,使用Dialog的集成数字算法调制
2016-03-25 16:37:25
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
硬件和软件套件有助加快并简化固态射频系统开发经优化后可供烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统的商业制造商使用系统设计人员能够以LDMOS的价格充分利用硅基氮化镓性能的优势在IMS现场
2017-08-03 10:11:14
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
恩智浦半导体(NXP Semiconductors),近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术,巩固了其在射频领域的领导地位,实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时,为客户带来成本
2019-07-12 08:03:23
高性能和成本效益的LED控制器
2023-03-28 13:05:09
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
212001)0引言随着无线通信事业的飞速发展,产生了多种通信技术标准,诸如Bluetooth,GSM,WiFi,ZigBee等,通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看,由于调谐范围宽
2019-07-12 08:03:27
ATX-S388节能大师电源携三大技术突破而成为市场上真正的节能电源。首先,S388电源特别增加了显示器供电接口,当关闭电脑时会自动关闭显示器电源,填补了目前电脑关闭而显示器仍然待机耗电这一国内技术空白
2018-12-07 10:28:27
性能可以很容易地改变和控制。例如,每1000万个原子中加入一个杂质原子,就可以极大地改变其导电性。这个过程称为掺杂,之后,半导体材料称为非本征材料。外源材料有两种类型: n 型和 p 型。硅和锗都是四
2022-04-04 10:48:17
),二极管并不导通。硅材料的二极管开启电压约为0.5V,锗材料的二极管开启电压约为0.1V。当正向电压足够大,超过开启电压后,内电场的作用被大大削弱,电流很快增加,二极管正向导通,此时硅二极管的正向
2009-09-16 09:19:01
概述CC6401 是一款高性能,低成本单线圈直流无刷马达(风扇)驱动IC。该IC 采用创新的先进高压BiCMOS 工艺设计制造,该制程对霍尔传感器和电机驱动进行了优化。芯片包含高灵敏度霍尔传感器,斩
2021-07-05 06:28:55
概述CCH477 是一款高性能,低成本单线圈直流无刷马达(风扇)驱动IC。该IC 采用创新的先进高压BiCMOS 工艺设计制造。芯片包含高灵敏度霍尔传感器,斩波失调消除模块,霍尔温度补偿单元,电压
2021-07-05 08:11:27
、WLAN”四网协同的发展战略[1]。四网业务的融合对接入网的带宽和性能有了更高的要求,传统的接入网已无法满足用户不断提高的带宽和性能需求。微波光子学充分利用光子学宽带、高速、低功耗等优点来实现微波信号
2019-06-12 06:47:10
关于锗的SILVACO仿真程序为什我将下面的硅换成锗之后,程序就一直停留在solvevdrain=0.05,只有将其值改为0,并将后一句删除才会有输出,但输出并不好。求一个关于锗的SILVACO仿真
2015-03-10 10:21:31
变速驱动的需求是什么兼顾性能、成本的高压功率半导体驱动IC应用
2021-04-21 07:06:40
IBM具有开创性的工作开始于1997年在整个行业中采用铜线取代铝线进行布线,这一创新使电流阻抗立即下降了35%,同时芯片性能提高了15%。 从此,IBM的科学家们一直沿着摩尔定律的轨道持续不断地推动性能的提升。以下是从IBM实验室过去十年间的几十项创新中抽取的十大芯片突破成果:
2019-05-24 07:10:23
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?
2012-07-11 20:23:15
光电子器件和光电子集成回路,在成本上和工艺成熟 度上具有无可比拟的优势,必将成为制作光电子芯片和解决电互连问题的首选方案。硅基光电子器件和单片集成 芯片的发展得益于材料科学、计算机科学、微细加工
2011-11-15 10:51:27
:AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率,距离精度低至小于50微米,范围达到300米。同时,功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺,步入CMOS时代?
2019-07-30 07:03:34
描述:光耦控制双向可控硅关断,负载是开关电源。导通正常。问题:门极=0,负载为开关电源,电流过零点很无规律(时间太短等),不能及时关断。造成控制不及时。说明:负载不是开关电源时候很容易关断。求解决办法。
2017-09-01 07:03:06
概述:THG4649是一款无线音频应用推出的FM发射集成电路,THG4649同时采用了硅锗(SiGe)双极型半导体工艺和BiCMOS半导体工艺技术制造,所有可能影响声音质量的电路都采用硅锗(SiGe)双极型半导
2021-04-06 09:43:55
为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(谷称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果
2008-08-12 08:50:30
常见的调光有双向可控硅调光、后沿调光、ON/OFF调光、遥控调光等。可控硅调光器在传统的白炽灯等调光照明应用已久,且不用改变接线,装置成本较低,各品牌可控硅调光器的性能和规格相差不大,但是其直接应用在LED驱动场合还存在着一系列问题。
2020-03-16 07:39:21
想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺,在此先谢谢了!
2016-02-20 22:59:28
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBTs)。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅(SOI)芯片、氮化镓异质结场效应晶体管(GaAn HFET)功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件,用于当前和未来军事系统,如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
。与CFT激光器相比,EFT激光器还具有影响硅光子集成电路尺寸和成本的其它优势。CFT激光器需要通过气密封装,来避免在激光器在潮湿环境下工作引起的性能劣化,这一缺陷是因机械切割及随后为激光器面进行晶条级涂层而
2017-10-17 14:52:31
从工艺选择到设计直至投产,设计人员关注的重点是以尽可能低的功耗获得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不断创新,那其28nm高端FPGA如何实现功耗和性能的平衡?具体有何优势?
2019-09-17 08:18:19
电阻为4~8kΩ,则为硅管。与锗二极管相比,硅二极管具有更高的耐压性、更短的响应时间和稳定的性能。在大多数电路中,硅管可以代替锗管,但其正向压降高于锗管。因此,在某些特定的环境中,例如小信号检测电路,锗
2023-02-07 15:59:32
如何去提高锂离子电池硅基负极循环性能?
2021-05-13 06:02:45
如何在电源转换应用中实现高性能、成本优化型实时控制设计
2021-03-16 07:56:20
为了解决传统S/H电路失真大和静态工作点不稳定的问题,采用0.25 μm BiCMOS工艺,设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S/H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路(CMFB)设计具有创新性。
2021-04-21 06:24:21
本文将介绍和比较在硅光电子领域中使用的多种激光器技术,包括解理面、混合硅激光器和蚀刻面技术。我们还会深入探讨用于各种技术的测试方法,研究测试如何在推动成本下降和促进硅光子技术广泛普及的过程中发挥重要作用。
2021-05-08 08:14:10
/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS工艺成为射频芯片的主流工艺,与此同时,射频芯片集成更多的功能也成为热门话题。面对国外企业的竞争,本土企业在保持清醒头脑的同时,对于竞争也是无所畏惧。
2019-07-05 08:33:25
瑞士电子与微技术中心(CSEM)巴西公司日前宣布,他们在“塑料”太阳能电池研究上获得突破,以有机聚合体替代单晶硅制造太阳能电池的技术已进入商业开发阶段。受此推动,可发生光电效应的有机聚合体薄膜产业将
2013-12-03 12:37:15
什么是硅光电倍增管?探讨硅光电倍增管在测量生物样本荧光过程中的性能表现
2021-05-11 06:15:02
突破,有哪些呢?专注无线AP产品及方案多年的丰润达给出了以下五点分析。1,高密度网络接入与有线网络相比,WiFi突破了空间束缚,能够随时随地为用户提供互联网接入,增强用户体验。随着WiFi使用的普及化
2016-08-18 16:58:17
智能设备突破尺寸桎梏
2021-01-12 07:59:22
泰克公司最近宣布首款经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的新型示波器平台ASIC各项技术指标优于规定要求,实现了新型高性能示波器的设计目标,使多通道带宽达
2019-07-24 07:47:20
混合动力电动型汽车电池中的电子器件是提高性能和安全性的关键。在集成电路设计领域的新技术使电池组设计师能进一步提高锂离子电池的性能。更高的测量准确度、更坚固的数据链路和电池容量的主动电荷平衡都帮助实现
2019-07-26 07:30:07
在半导体技术中,与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同,模拟技术的进步显得缓慢,其中电源半导体技术尤其波澜不惊,在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下,似乎关键指标难以有大的突破,永远离不开的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪声,少有见到一些突破性的新技术面市。
2019-07-16 06:06:05
高温下性能非常稳定。铁硅铝的特点:适当的成本,优于钼坡莫合金/高磁通以及复合合金;较低的损耗,优于铁粉芯;高饱和度,优于间隙铁氧体;接近零的磁致伸缩,优于铁粉芯;无热老化现象,优于铁粉芯;软饱和,优于
2012-08-15 22:00:03
纳米硅粒子有较大的比表面,无色透明;粘度较低,渗透能力强,分散性能好。纳米硅的二氧化硅粒子是纳米级别,其粒径小于可见光光波长度,不会对可见光形成反射和折射等现象,因此不会使涂料表面消光。
2019-10-31 09:12:41
1、硅三极管导通电压是0.7V,锗三极管导通电压0.2-0.3V,请问什么型号的锗三极管可以代替硅三极管2N3096,实现放大?
2019-02-25 16:02:30
相反结论。金属氧化物成本远低于硅,且来源丰富、加工简单,应用前景值得期待。 阙宗仰设想,分解水分子所获氢气,可以直接用作燃料,譬如为汽车提供动力,而“排放物”则是水。始于阳光、终于水,不增加大气二氧化碳含量,是一个“碳平衡循环”。
2016-03-07 15:18:52
ADMV1017BCCZAnalog Devices 的 ADMV1017 是一款基于硅锗 (SiGe) 的微波块上/下转换器,射频频率范围为 24 至 29.5 GHz。上变频器提供两种频率转换
2022-10-30 10:11:16
MAMX-090950-1277LT高 IP3 双平衡MACOM 的 MAMX-090950-1277LT 是一款 850 - 1050 MHz 硅单片双平衡混频器,采用低成本微型表面贴装 MLP
2022-12-28 16:24:21
MAMX-000900-1061LTHMIC 硅双平衡MACOM 的 MAMX-000900-1061LT 是一款硅单片 700-1400 MHz、低势垒、双平衡混频器,采用低成本表面贴装
2022-12-29 11:06:37
ADS42B49IRGCT:突破性能边界的高速模数转换器在当今高速、高精度的信号处理领域,一款出色的模数转换器(ADC)往往能够成为系统性能的决定性因素。德州仪器(Texas Instruments
2024-02-16 16:49:18
BiCMOS反相器
双极型CMOS或BiCMOS的特点在于,利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势,因而这种逻辑门电路受到用户的重视。
2009-04-06 23:31:025569 BiCMOS门电路
根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理,同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系,输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET,而P沟道MO
2009-04-06 23:31:331917 负载平衡,负载平衡是什么意思
负载平衡是为提高性能和克服现有设备中的缺陷而将某些负载分配到多个链路、服务器、处理器或其他
2010-04-06 16:06:571600 输出、输入均可平衡的平衡中继放大器
电路的功能
使用对称电缆进行平衡式传输可以保证良好的抗噪声性能。作为平衡输入放大电路,当其接收平衡
2010-04-27 16:25:301303 近日,多晶硅现货报价25万-30万元/吨,跌破成本价,跌至历史最低点。近年来,涨涨跌跌的多晶硅价格,犹如过山车般令人提心吊胆。今年国庆节之前,由于太阳能传统安装旺季的到来
2011-10-25 09:43:30833 产品,从根本上来说,必须用小的成本来多做事。 以下是5个小窍门,它能使你在设计25G系统时做出很好的平衡: 1.确定系统中的哪条链路将会需要信号调节;这将取决于走线长度和印刷电路板 (PCB) 材质。低损耗材料需要较少的信号调节,
2017-04-18 01:45:43338 从工业过程控制和测量到高速通信和成像,高效的信号采集是各类应用的基础,如此宽广范围的应用类别,要匹配适当的应用组件,创建一个信号链是至关重要的,以便以尽可能低的成本满足性能要求,但随着嵌入式传感器系统(给物联网提供采集信号)有望大发展,平衡成本与性能也就变得更加重要了。
2018-05-05 09:37:00318 恩智浦半导体近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术,巩固了其在射频领域的领导地位,实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时,为客户带来成本优势。
2018-05-16 09:57:001246 不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。为了在有限甚至不改变现有平台架构的前提下找到新的解决方案,IntelOptane等次世代存储器近年来广受讨论。
2019-05-21 16:47:12722 “毫米波 5G 是一项蕴含巨大潜力的新兴技术。” ADI公司微波通信部总经理 Karim Hamed 表示,“从头开始设计这些系统会极其困难,需要平衡性能、标准和成本方面的系统级挑战。
2019-05-31 11:22:01891 ,如果每块磁盘的成本是1300元,那要完整存储这些数据,就需要付出30万亿的存储硬件成本投入,相当于国内一年生产总值的三分之一。 逐步攀升的数据存储需求和高昂存储成本的冲突下,很多企业都将面临着大量数据无法得到有效存储和数据流失的问题。对此,UCl
2020-11-02 12:00:191497 电子发烧友网为你提供建立一个高效的信号链,平衡成本与性能资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-13 08:44:1517 本文探讨了 SiC 共源共栅在困难条件下(包括雪崩模式和发散振荡)的性能,并研究了它们在利用零电压开关的电路中的性能。
2022-05-07 16:27:451744 软硬件在短时间内很难发生实质性的突破。所以,智行者 CTO 王肖认为:“L4 未来的趋势是要满足常用场景的商业化落地,把实现无人驾驶的成本降下来。产品策略方面也是需要自动驾驶提供商需要突破的关键所在。”
2022-09-06 14:23:211182 设计一个25G系统:平衡能耗、性能与价格的5个技巧
2022-11-03 08:04:300 中国算力大会主论坛颁奖仪式 8月18-19日,由工业和信息化部、宁夏回族自治区人民政府共同举办的2023年中国算力大会在银川召开,大会主论坛隆重发布了六项年度突破成果,燧原科技的产品“面向超大模型
2023-08-21 19:20:01785
评论
查看更多