您好，欢迎来电子发烧友网！ ，新用户？[免费注册]

您的位置：电子发烧友网>电子元器件>晶闸管>

难以制造p型半导体 - 氧化镓制造功率元件，比SiC更出色？

2012年04月18日 08:47 本站整理 作者：秩名 用户评论（0）

　　另外，关于难以制造p型半导体这一点，使用β-Ga2O3来制作功率元件时，可以将其用作N型半导体，因此也不是什么问题。而且，通过掺杂Sn及Si等施主杂质，可在电子浓度为1016～1019cm-3的大范围内对N型传导特性进行控制（图2）。

N型传导特性的控制范围大　　

　　图2：N型传导特性的控制范围大

　　使用β-Ga2O3时，可在大范围内控制N型传导性。实际上，通过掺杂施主杂质，可在1016～1019cm-3范围内调整电子密度。

上一页1234下一页全文

非常好我支持^.^

(21) 95.5%

不好我反对

(1) 4.5%

( 发表人：电子大兵 )

用户评论

发表评论即可获得积分！ 详见积分规则

      发表评论

      用户评论
      评价:好评中评差评

      发表评论，获取积分！ 请遵守相关规定！