初期特性
有关金属反射膜型发光二极管(MR Type LED)与受质基板型发光二极管(AS Type LED)的特性，两芯片的外形都是300×300μm角柱形。
图5是这两种发光二极管实际发光的照片，由照片可知，金属反射膜型发光二极管的发光比受质基板型发光二极管亮。
如表1的金属反射膜型发光二极管(MR Type LED)与受质基板型发光二极管(AS Type LED)初期特性比较一览所示，顺向电流20mA通电时的光束为1.92 lm,可以实现48 lm/W的发光效率，金属反射膜型发光二极管(MR Type)比受质基板型发光二极管(AS Type)，发光效率提高4倍以上。
图6是上述两种红光LED的顺向电流-光束特性，由图可知，光线强度亦即光束对电流呈直线增加，即使受到发热的影响，光输出并未降低。
图7是上述两种红光LED的顺向电流-顺向电压特性，由图可知，虽然金属反射膜型发光二极管(MR Type)的顺向电压比受质基板型发光二极管 (AS Type)高，不过却可以达成实用上要求的2.2V以下顺向电压(IF=20mA)，证实即使是金属反射膜结构，串联阻抗同样可以被充分削减。
晶圆面内的分布
发光二极管当作显示用途并排使用的场合，如果光强度有分布不均，会引发辉度不均。
此外定电压驱动时要求相同的顺向电压，因此研究人员调查3英寸金属反射膜型发光二极管 (MR Type)晶圆的光束，与顺向电压的面内分布特性。