半导体IC芯片的接合剂分别使用环氧系接合剂、玻璃、焊锡、金共晶合金等材料。LED芯片用接合剂除了上述高热传导性之外，基于接合时降低热应力等观点，还要求低温接合与低杨氏系数等等，符合这些条件的接合剂分别是环氧系接合剂充填银的环氧树脂，与金共晶合金系的Au-20%Sn。
接合剂的包覆面积与LED芯片的面积几乎相同，因此无法期待水平方向的热扩散，只能寄望于垂直方向的高热传导性。
图17是热传导差异对封装内部的温度分布，与热流束特性的模拟分析结果，封装基板使用氮化铝。根据仿真分析结果显示LED接合部的温差，热传导性非常优秀的Au-Sn比低散热性银充填环氧树脂接合剂更优秀。
有关LED封装基板的散热设计，大致分成：
●LED芯片至框体的热传导
●框体至外部的热传达
两大部位。热传导的改善几乎完全仰赖材料的进化，一般认为随着LED芯片大型化、大电流化、高功率化的发展，未来会加速金属与陶瓷封装取代传统树脂封装方式 。此外LED芯片接合部是妨害散热的原因之一，因此薄接合技术成为今后改善的课题。
提高LED高热排放至外部的热传达特性，以往大多使用冷却风扇与热交换器，由于噪音与设置空间等诸多限制，实际上包含消费者、下游系统应用厂商在内，都不希望使用强制性散热组件，这意味着非强制散热设计必需大幅增加框体与外部接触的面积，同时提高封装基板与框体的散热性。
具体对策例如高热传导铜层表面涂布“利用远红外线促进热放射的挠曲散热薄膜”等等，根据实验结果证实使用该挠曲散热薄膜的发热体散热效果，几乎与面积接近散热薄膜的冷却风扇相同，如果将挠曲散热薄膜黏贴在封装基板、框体，或是将涂抹层直接涂布在封装基板、框体，理论上还可以提高散热性。
有关高功率LED的封装结构，要求能够支持LED芯片磊晶接合的微细布线技术;有关材质的发展，虽然氮化铝已经高热传导化，不过高热传导与反射率的互动关系却成为另一个棘手问题，一般认为未来若能提高热传导率低于氮化铝的氧化铝的反射率，对高功率LED的封装材料具有正面帮助。
结语
随着LED大型化、大电流化、高功率化的发展，事实上单靠封装基板单体并无法达成预期的散热效，必需配合封装基板周边的散热材料，以及LED封装结构才能进行有效的散热。