模拟技术

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一鲸落万物生，京元电退出，大陆厂吃饱

电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，总部位于中国台湾的封测大厂京元电子宣布出售旗下京隆科技（苏州）有限公司92.1619%股权，预计交易金额为人民币48.85亿元。出售之后，京元电不再持有...

2024-04-30 标签：京元电封测 1099

兆易创新今年Q1净利超2023全年，NOR Flash出货量已超212亿颗

电子发烧友网报道（文/刘静）近日，知名存储芯片厂商兆易创新发布《2023年年度报告》以及《2024年第一季度报告》。存储芯片行业在经历一段时间的市场波动后，目前正处于一个关键时期。多...

2024-04-25 标签：存储芯片 NOR flash 兆易创新 2138

零漂移运算放大器是您设计的最佳选择吗？

零漂移放大器具有所有运算放大器拓扑结构中最低的输入失调电压（Vos）和失调电压漂移。与同类最佳的精密低输入失调电压运算放大器相比，斩波器的失调漂移比传统激光和封装调整精密运算...

2024-04-23 标签：运算放大器 RC滤波器运算放大器零漂移 573

PMOS基反接防护电路设计详解

将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过PMOS的体二极管到负载端。...

2024-04-30 标签：保护电路 PMOS PMOS 体二极管保护电路 46

浅谈AD转换的位数对测量误差的影响

设计测试电路，使用 F030单片机进行测试。输入的模拟信号经过RC滤波之后，发送到 ADC的第0通道。使用两个电阻将模拟地和电源分开。电路板上还设置了 3.3V的稳压芯片。设计电路PCB，使其能够...

2024-04-30 标签：单片机 adc 模拟信号 AD转换器 31

模拟芯片企业帝奥微亮相2024汽车智慧照明系统创新技术大会

2024年4月19日，由钛祺汽车主办的“2024汽车智慧照明系统创新技术大会”在上海圆满举行。此次展会旨在为与行业机构、汽车制造商、照明系统供应商和技术研发人员等专业人士提供一个平台，...

2024-04-30 标签：模拟芯片智慧照明帝奥微电子 357

今日看点丨联发科天玑 9300 + 旗舰芯片官宣；小米 SU7 第 10000 辆量产整车下线

1. 传特斯拉将与百度合作清除 FSD 关键障碍近日特斯拉CEO埃隆·马斯克抵达中国，有消息称其出行扫清了两个关键障碍，有助于将其驾驶辅助系统（FSD）引入中国市场。知情人士透露，特斯拉...

2024-04-30 标签：联发科小米天玑小米SU7 308

功率系统中SiC MOSFET/Si IGBT栅极参数自动测试与计算新方案

栅极参数设计是通过理论计算或建模仿真，模拟器件的开关状态，掌握其动态特性。常用的仿真软件有ANSYS和MATLAB等，其核心还是理论计算。...

2024-04-29 标签：MOSFET IGBT emc SiC emc IGBT MOSFET SiC 变流器 65

差分运放与PT100传感器采集处理电路设计

PT100是正温度系数的热敏电阻，顾名思义，随着温度的升高，电阻的阻值变大；相反，如果随着温度的升高，电阻的阻值变小，就是负温度系数的热敏电阻。...

2024-04-29 标签：电阻单片机热敏电阻处理电路 Pt100 56

深入解析三极管工作原理

统讲法一般分三步，以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例)，如示意图A。1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”(注1)...

2024-04-29 标签：三极管二极管集电极 NPN NPN 三极管二极管光敏二极管集电极 39

碳化硅功率器件：高效能源转换的未来

在现代电子行业，随着能源效率要求的不断提高和高温、高频、高压应用的增多，传统的硅（Si）基功率器件正逐渐显露出性能上的局限性。...

2024-04-29 标签：电动汽车功率器件 SiC 碳化硅 151

比亚迪e5高压电控总成内IGBT模块技术分析

用9 V电池作为电源接至G11触发上桥臂中的1号IGBT，用万用表的二极管挡测量上桥臂“+”与“～”之间的导通性，显示导通，压降为0.379 V。...

2024-04-28 标签：二极管原理图万用表比亚迪 IGBT 118

纯真如信号放大器，简单又深情

　暗恋就像根二极管，总是单向的电流。除非你运气好，表白时二极管反向击穿了，否则你就一直这样毫无回报的付出吧，别抱怨，谁让你选二极管呢。...

2024-04-28 标签：三极管功率放大器信号放大器共模信号三极管信号放大器共模信号功率放大器差动放大器 57

MOS管为什么还要考虑电流大小呢？

当MOS管驱动能力不足时，我们会使用推挽电路来放大电流，但是MOS管明明是压控型器件，为什么要去考虑电流大小呢？...

2024-04-28 标签：三极管电流 MOS管驱动电路电源IC 219

深入解读DGND与AGND的奥秘

低阻抗、大面积接地层对于模拟电路和数字电路都是至关重要的。接地层不仅为了给高频电流（高速数字逻辑产生的）一个低阻抗返回路径，而且最大限度地减少EMI / RFI辐射。...

2024-04-28 标签：pcb adc 模拟信号数字电路 adc ADC pcb PCB 信号处理系统数字电路模拟信号 62

Tanner L-Edit在功率器件设计中的应用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半导体、车用功率器件等功率器件是处理高电压、大电流的半导体分立器件，常用在电子电力系统中进行变压、变频、变流及功率管理等。...

2024-04-28 标签：CMOS 晶圆功率器件 CMOS 功率器件大电流晶圆 186

探究内阻较小的MOS管发热之谜

这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通（punch through）。...

2024-04-28 标签：二极管 MOS管内阻 MOS管二极管内阻漏极电压电源反接 57

浅谈高频电阻的射频阻抗响应

在高频信号电路中，电阻不是单纯的只有电阻R，而是还有电感，电感L模拟引线，电容Ca用于模拟电荷的分离效应，电容Cb用于模拟内部引线电容。...

2024-04-28 标签：电阻器寄生电容信号电路寄生电容微波电路电阻器贴片电阻 39

IGBT并联技术驱动配置的优化策略与实践

1. 每个IGBT有独立的驱动器； 2. IGBT的连接形式接近于硬并联，两桥臂交流输出端通过铜排直接相连； 3. 可能存在发射极环流，但不同的IGBT门极回路间不存在耦合，IGBT的开关行为很独立...

2024-04-26 标签：驱动器 IGBT IGBT 电流探头驱动器 52

碳化硅功率器件：革新电力电子的未来龙头

在当今追求高效能、高耐用性的电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越性能，成为了领域内的明星产品，它的出现预示着一次技术革命的悄然到来。...

2024-04-26 标签：逆变器功率器件 SiC 碳化硅 SiC 功率器件碳化硅车载充电器逆变器 183

基于FPGA的内部LVDS接收器设计

LVDS是一种低压低功耗的高速串行差分数据传输标准，在高速数据互联和数据通信领域得到广泛的应用，主流的FPGA器件都集成了高速的LVDS收发器。...

2024-04-26 标签：FPGA 模拟电路 adc lvds 模数转换器 77

MOSFET在开关电源中的作用

MOSFET作为开关元件，在开关电源中需要频繁地切换两种状态：导通和截止，以控制电流的通断。这种切换过程对于电源的稳定输出至关重要。...

2024-04-25 标签：集成电路 MOSFET 开关电源稳压电源 MOSFET 开关电源电压电源稳压电源集成电路 367

如何选择开关电源的MOSFET

DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...

2024-04-25 标签：MOSFET 开关电源控制电路 DCDC DCDC MOSFET 开关控制器开关电源控制电路 332

普通三极管电路的步骤

三极管是晶体管的一种，三极管的三个极分别是基极（Base）、发射极（Emitter）、集电极（Collector）。...

2024-04-25 标签：三极管 MOS管晶体管数字电路 80

6月5-7日，南京见！2024南京国际半导体博览会邀您共赴盛会

2024南京国际半导体博览会将于2024年6月5-7日，在南京国际博览中心举办。南京国际半导体博览会是中国半导体领域极具影响力和标志性的行业龙头展会，自2019年起已连续在南京举办5届，每年举...

2024-04-25 标签：半导体 68

高效大电流稳压器电路设计方案

LT1083稳压器（参见图1中的符号和引脚排列）允许调整正电压，并能高效地提供高达7.5 A的电流。内部电路设计用于输入和输出之间以高达1 V的压差工作。...

2024-04-25 标签：二极管负载电流稳压器二极管低电流稳压器稳压器负载电流 81

深入浅出TVS二极管的工作原理和特性

ESD保护二极管设计在信号线与GND之间，保护DUP器件免受浪涌电压的冲击。在正常工作模式下，ESD保护二极管几乎没有电流经过，只会有少量电流使反向击穿电压高于信号线电压。...

2024-04-25 标签：二极管 ESD TVS TVS二极管 GND 66

常用的MOS做电源开关的电路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。...

2024-04-25 标签：电机控制导通电阻 MOS MOS 低导通电阻导通电阻电机控制电源开关 245

功率循环对IGBT寿命有何影响？如何准确估算功率器件的寿命呢？

运行过程中产生的高结温和高温度梯度会引起机械应力，尤其是在具有不同热膨胀系数的材料之间的接触面上，这可能导致这些器件性能退化甚至完全失效。...

2024-04-24 标签：二极管 IGBT 功率器件 348

聚焦大功率氮化镓（GaN）器件及其在实际应用中所面临的相关热问题

热设计是一个至关重要的课题，其中的各种规则、缩略语和复杂方程时常让人感到它似乎是个深不可测的神秘领域；...

2024-04-24 标签：集成电路 PCB板 QFN封装氮化镓 GaN器件 PCB板 QFN封装氮化镓集成电路 334

共射极放大电路的频率响应的基础知识

从 2kHz 频率开始，我们逐渐调小输入信号的频率，直至输出信号的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ，此时的频率即为下限截止频率：...

2024-04-24 标签：示波器放大电路共射极放大电路放大电路示波器 104

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