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大容值的MLCC电容,耐电压击穿电压波动能力其实是比较弱的,再加之电容生产过程的陶瓷介质片的厚度一致性难控制问题,电压波动、上电浪涌电压等场合下,MLCC电容被击穿也就在所难免了。...
其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小,芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递,在此过程中会遇到一定的阻力,称为导热热阻。...
在标准NPC的基础上,把钳位二极管换成主开关管,就形成了ANPC,用于解决NPC损耗分布不均带来的热不均 根据不同的发波方式,开关管的电流会有所不同,以下分别讨论...
SiC功率器件市场正处于快速增长阶段,特别是在汽车电动化趋势的推动下,其市场规模预计将持续扩大。 根据Yole Group的报告,汽车行业对SiC功率器件的需求主要来自于电动汽车动力系统的升级需求,包括更高的电池容量和逆变器性能的提升。...
在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。...
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,也被称为雪崩击穿二极管,是一种二极管形式的高效能保护器件。...
前端放大器的内部ESD二极管有时会用来箝位过压状况,但为了确保这种箝位能够提供充分可靠的保护,需要考虑许多因素。...
正反馈提高了电路的放大能力(可以自己根据运放特性想象一下), 在正反馈中,输入和输出信号的相位相似,因此两个信号相加,适用于振荡电路中。...
推挽输出(Push-Pull Output),故名思意能输出两种电平,一种是推(拉电流,输出高电平),一种是挽(灌电流,输出低电平)。推挽输出可以使用一对开关来实现,在芯片中一般使用晶体管 / 场效应管。...
IGBT 模块封装采用了胶体隔离技术,防止运行过程中发生爆炸;第二是电极结构采用了弹簧结构,可以缓解安装过程中对基板上形成开裂,造成基板的裂纹;第三是对底板进行加工设计,使底板与散热器紧密接触,提高了模块的热循环能力。...
如何理解“虚断”呢?由于运放的差模输入电阻很大,一般通用型运算放大器的输入电阻都在 1MΩ以上。因此流入运放输入端的电流往往不足 1uA,远小于输入端外电路的电流。...
SiC市场格局仍由海外巨头主导,市占率排名依次是:意法半导体、英飞凌、wolfspeed、罗姆、安森美、三菱电机等。...
调节电压旋钮选择器件反向耐压,将电压设置到300V。在测试时,红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离,请勿冒险将示波器探头和夹子连接。...
电动汽车(xEV)市场的扩大带来了电气化、零部件集成化、电子控制单元(ECU)小型化和低噪音电机等市场需求。...
传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底,在剥离的过程中,如蓝宝石就特别困难,会产生较大的材料损耗和额外成本,且剥离技术也有待进一步提高。...
电容是由两块平行的导电极板所构成,充电时以电场形式进行能量储存。并可以在放电电路中把储存的能量释放。...
当单板启动时,SLP_S3会输出3V3电平,此时Q14的ib=(3.3-0.7)/2K=1.3mA;按三极管处于放大区时hFE=100计算,ic=100*1.3mA=130mA,已经超过了ic的饱和电流1.2mA(12V/10K)。...
每当沿着一条导线驱动信号时,该导线周围都会产生磁场。如果两根导线相邻放置,两个磁场可能会相互作用,导致信号之间的能量交叉耦合,称为串扰。...
IGBT 模块是由 IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与 FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...