集成高速串行接口的EMI滤波及ESD保护问题(3)
2011年08月19日 10:34 本站整理 作者：网络 用户评论（0）
表1：安森美半导体硅共模滤波器
值得一提提，将ESD保护构建在共模滤波器衬底中并不会明显降低信号完整性等级，能够针对重复出现的ESD事件提供保护。这些更高集成度器件的占位面积比基于传统线圈的共模滤波器(在500 MHz及3 GHz截止频率时共模抑制比为15 dB)小，性能相当，但覆盖的噪声抑制频率范围要大多得。这些硅共模滤波器的关键特性包括智能手机手机通信频率范围的宽带衰减。设计人员在始于700 MHz的频率能够获得-25 dB的共模衰减，而这是LTE及4G通信的重要频率。
此外，这些硅共模滤波器的ESD保护动作非常快，能够提供±15 kV接触放电的ESD保护，优于反应动作更慢的压敏电阻ESD保护方案。压敏电阻较慢的响应时间会使接口的电压更高，可能损坏ESD器件旨在保护的产品。在0.5 mm间距的塑料封装中，这些硅共模滤波器与最流行的接口标准兼容及匹配，能够通过HDMI 1080p 24位全彩色信号，而不会损及信号质量。
图5：安森美半导体EMI4182硅共模滤波器在HDMI 1.4环境下的信号完整性演示
总结
安森美半导体推出了集成共模EMI滤波和ESD保护的系列高集成度IC，如EMI2121、EMI4182及EMI4183等。与基于铁氧体或陶瓷的共模滤波器相比，这种高集成IC在无线频谱范围内为手机频率提供更深的衰减曲线，配合智能手机及数码相机等应用的高带宽连接需求，同时提升系统可靠性、减少元件数量及降低成本。
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( 发表人：小兰 )