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DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路...

2010-11-24 标签：非易 DS1245W 非易 1037

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控...

2010-11-24 标签：非易 DS1249W 非易 940

具有数据自动识别应用的MaxArias无线存储器套件

　　Ramtron International Corporation(简称Ramtron)和奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias...

2010-11-24 标签：自动识别 MaxAr 自动识别 705

基于PCIe的WarpDrive SLP-300加速卡

　　日前，LSI 公司面向渠道供应商推出 LSI WarpDrive SLP-300 加速卡，该款 PCI Express (PCIe) 卡能够提供高达 240,000 的持续 IOPS...

2010-11-23 标签：PCIe PCIe WarpD 1153

应用于闪存微控制器的“新闪存”架构技术

　　简介　　嵌入式微控制器越来越多样化，可以满足嵌入式系统市场的应用需求，而主流已经从传统的掩模ROM微控制器转向了内置闪存(可擦写的非易失性只读存储器)的闪...

2010-11-17 标签：闪存闪存微控制器 776

用于SD卡的NAND flash控制芯片的设计

　　O 引言　　Flash是一种非易失存储器，它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点，近几年在U盘、SD卡、SSD硬...

2010-11-16 标签：SD卡 NAND f SD卡 6305

英特尔推出X25-M固态硬盘(SSD)

　　在圣诞节即将来临之际，英特尔公司为广受赞誉的英特尔固态硬盘(SSD)产品家族再添120GB“新丁”。固态...

2010-11-16 标签：固态硬盘 X25-M 固态硬盘 829

基于半导体存储芯片K9WBG08U1M的大容量存储器

　　O 引言　　随着航空航天航海等技术的发展，无论是星载还是舰载方面的技术要求，都迫切希望有一种能够在恶劣环境(高温、低温、振动)下正常工作，并且易于保...

2010-11-12 标签：存储芯片 K9WBG 存储芯片 2954

Flash存储器概述

　　Flash 存储器的简介　　在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据...

2010-11-11 标签：Flash存储器 4925

相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

　　相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和...

2010-11-11 标签：相变存储器 PCM 2161

MAX14500–MAX14503 USB至SD读卡器

　　MAX14500–MAX14503 USB至SD™读卡器为带有一个或两个SD卡槽且支持全速USB通信(12Mbps)的便携式设备提供了一种升级方法，可以将USB SD读卡器升级到USB高速(480Mbps)工作模式。MAX14500...

2010-11-11 标签：MAX14500 1102

DS1225AB及DS1225AD全静态非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照...

2010-11-10 标签：DS1225AB 1589

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控...

2010-11-10 标签：非易 DS1270W 非易 801

东芝推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD

　　东芝今日宣布推出Blade X-gale系列薄型、刀片式高性能SSD(固态硬盘)产品。该新型SSD产品分为64GB、128GB和256GB三种...

2010-11-10 标签：BLADE X-ga 1360

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按...

2010-11-07 标签：非易 DS1265W 非易 831

基于位线循环充电SRAM结构的双模式自定时电路设计

　　引言　　近些年来，随着集成电路制造工艺和制造技术的发展，SRAM存储芯片在整个SoC芯片面积中所占比例越来越大，而SRAM的功耗也成为整个SoC芯片的主要部分。...

2010-11-03 标签： 1127

新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 日前宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合...

2010-11-03 标签：闪存光驱 ODD 1840

DS1225Y 64K非易失SRAM

　　DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照...

2010-11-03 标签：非易 DS1225Y 非易 1797

DS28E01-100保护型1-Wire EEPROM

　　DS28E01-100将1024位EEPROM与符合ISO/IEC 10118-3安全散列算法(SHA-1)的质询响应安全认证结合在一起。1024位EEPROM阵列被配置为...

2010-11-03 标签：DS28E01-10 2006

相变化内存原理分析及设计使用技巧

　　相变化内存(Phase Change Memory，PCM)是一项全新的内存技术，目前有多家公司在从事该技术的研发活动。这项技术集当今挥发性内存和非挥发性内存两大技术之长，为系统工程师...

2010-11-01 标签：相变化内存 905

SpaNSion FL-K闪存

　　SpaNSion FL-K系列支持统一4-千字节(KB)的小扇区设计。目前整个SpansiON SPI产品组合覆盖密度范围为4Mb至256Mb，是市场上最广泛的产品组合之一。　　Spansion FL-K系列具备快速...

2010-10-25 标签：Spansion 1318

DS1330W 256k全静态非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制...

2010-10-22 标签：非易 DS1330W 非易 1053

DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-22 标签：非易失 DS1330 非易失 1597

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，...

2010-10-22 标签：非易失 DS1345 非易失 1025

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

　　DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于...

2010-10-22 标签：非易失 DS1646 非易失 1038

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

　　DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等...

2010-10-22 标签：非易失 DS1647 非易失 1358

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控...

2010-10-21 标签：SR DS1345W SR 1098

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-21 标签：非易 DS1350W 非易 1009

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，...

2010-10-21 标签：非易失 DS1350 非易失 984

DS9034PCX PowerCap的设计

　　该DS9034PCX PowerCap的设计是一个在达拉斯半导体非易失时钟RAM的锂动力源的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。经过PowerCap模块板焊接已经到位并清洗，DS9034PCX PowerCap是放置在PCM...

2010-10-21 标签：DS9034PCX 1340

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